SI4425DDY-T1-GE3 假一罚十，原装正品
日期：2020-3-18摘要：晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI4425DDY-T1-GE3
SI4425DDY-T1-GE3 假一罚十，原装正品，长期供货，价格优势。
名称：MOSFET
型号：
厂家：VISHAY
分类：其他电子元件
子类：其他电子元器件
数量：62215
一般信息
数据列表SI4425DDY;
标准包装
2,500包装 标准卷带 零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET其它名称SI4425DDY-T1-GE3-ND
SI4425DDY-T1-GE3TR
SI4425DDYT1GE3
规格
FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）19.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）9.8 毫欧 @ 13A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）80nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2610pF @ 15VFET 功能-功率耗散（最大值）2.5W（Ta），5.7W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
文档
PCN 组件/产地Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
图像和媒体
产品相片8-SOIC
数据列表SI4425DDY;
标准包装
2,500包装 标准卷带 零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET其它名称SI4425DDY-T1-GE3-ND SI4425DDY-T1-GE3TR
SI4425DDYT1GE3
规格
FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）19.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）9.8 毫欧 @ 13A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）80nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2610pF @ 15VFET 功能-功率耗散（最大值）2.5W（Ta），5.7W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
文档
PCN 组件/产地Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
图像和媒体
产品相片8-SOIC