DMN6140L-13 原装进口正品
日期：2020-3-20摘要：晶体管 - FET，MOSFET - 单 > DMN6140L-13
DMN6140L-13 原装进口正品现货热卖，假一罚十，长期供货。
一般信息
数据列表DMN6140L;
标准包装
10,000包装 标准卷带 零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-其它名称DMN6140L-13DITR
规格
FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）140 毫欧 @ 1.8A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）8.6nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）315pF @ 40VFET 功能-功率耗散（最大值）700mW（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装SOT-23封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文档
HTML 规格书DMN6140L
PCN 组件/产地Mult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019
RoHS指令信息Diodes RoHS 3 Cert
图像和媒体
产品相片SOT-23
SOT23
数据列表DMN6140L;
标准包装
10,000包装 标准卷带 零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-其它名称DMN6140L-13DITR 规格
FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）140 毫欧 @ 1.8A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）8.6nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）315pF @ 40VFET 功能-功率耗散（最大值）700mW（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装SOT-23封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文档
HTML 规格书DMN6140L
PCN 组件/产地Mult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019
RoHS指令信息Diodes RoHS 3 Cert
图像和媒体
产品相片SOT-23
SOT23