MOSFET Infineon Technologies IPG20N04S4L08AATMA1
日期：2020-7-13MOSFET Infineon Technologies IPG20N04S4L08AATMA1 全新原装正品 全系列优势产品特价 大量原装现货库存 欢迎来电咨询！！
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| SMD/SMT | ||
| TDSON-8 | ||
| N-Channel | ||
| 2 Channel | ||
| 20 A | ||
| 16 V | ||
| 39 nC | ||
| - 55 C | ||
| + 175 C | ||
| 54 W | ||
| Enhancement | ||
| AEC-Q101 | ||
| Cut Tape | ||
| Reel | ||
| 配置: | Dual | |
| 高度: | 1.27 mm | |
| 长度: | 5.9 mm | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 宽度: | 5.15 mm | |
| 商标: | Infineon Technologies | |
| 产品类型: | MOSFET |
第2代1200V碳化硅肖特基二极管
LSIC2SD120A08系列、LSIC2SD120A15系列和LSIC2SD120A20系列的额定电流分别为8A、15A、20A，并采用主流的TO-220-2L封装。 此外，LSIC2SD120C08系列的额定电流为8A，采用TO-252-2L封装。 第2代肖特基二极管合并后的p-n肖特基(MPS)器件结构可确保提升抗浪涌能力并降低泄漏电流。 用全新的第2代碳化硅肖特基二极管取代标准的硅双极功率二极管使得电路设计师能够显著降低开关损耗，在避免热逸散的情况下承受强浪涌电流，并可在高达175°C的结温下运行。这有助于极大地提高电力电子系统的效率和耐用性。
全新第2代碳化硅肖特基二极管的典型应用包括：
有源功率因数校正(PFC)
DC-DC转换器的降压或升压阶段。
逆变级续流二极管
高频输出整流
可服务的市场包括工业电源、太阳能、工业电机驱动器、焊接和等离子切割、电动汽车充电站、电磁炉等。
“第2代碳化硅肖特基二极管的最新产品使电路设计师能够降低开关损耗，在避免热逸散的情况下承受强浪涌电流，并可在更高的结温下运行。”Littelfuse电源半导体全球产品营销经理Michael Ketterer表示。 “它们为寻求改善最新电力电子系统效率、可靠性和热管理的电路设计师提供了更多组件选择。”
第2代碳化硅肖特基二极管提供下列关键优势：
同类最佳的电容存储电荷以及可忽略不计的反向恢复电流使这些器件非常适合高频电源开关应用，能够确保极低的开关损耗，并降低对相反开关的应力。
同类最佳的正向压降(VF)可确保低传导损耗。
175°C的最高结温可提供更大的设计余量以及更为宽松的热管理要求。以上就是碳化硅肖特基二极管产品系列解析，希望能给大家帮助。
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