晶体管 MOSFET TPCC8105,L1Q

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS: 详细信息

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSON-8

晶体管极性:P-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:- 23 A

Rds On-漏源导通电阻:7.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:- 0.8 V

Qg-栅极电荷:76 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:30 W

通道模式:Enhancement

商标名:U-MOSVI

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single

系列:TPCC8105

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Toshiba

下降时间:110 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:330 ns

典型接通延迟时间:14 ns

单位重量:20 mg

公司优势供应：