SI2301CDS-T1-GE3晶体管原装现货销售

型号：SI2301CDS-T1-GE3

制造商

Vishay Siliconix

制造商零件编号

SI2301CDS-T1-GE3

描述

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL）1（无限）

详细描述表面贴装型-P-通道-20V-3.1A（Tc）-860mW（Ta）-1.6W（Tc）-SOT-23-3（TO-236）

数据列表SI2301CDS;

标准包装  3,000

包装  标准卷带  

零件状态有源

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列TrenchFET®

其它名称SI2301CDS-T1-GE3TR

SI2301CDST1GE3

规格

FET 类型P 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.1A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）112 毫欧 @ 2.8A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）10nC @ 4.5V

Vgs（最大值）±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）405pF @ 10V

FET 功能-

功率耗散（最大值）860mW（Ta），1.6W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3