分立半导体产品CSD16322Q5现货销售
日期:2020-8-20型号:CSD16322Q5
制造商
Texas Instruments
制造商零件编号
CSD16322Q5
描述
MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况含铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
详细描述表面贴装型-N-通道-25V-21A(Ta)-97A(Tc)-3.1W(Ta)-8-VSON-CLIP(5x6)
零件状态有源
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列NexFET™
其它名称296-25112-2
规格
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)21A(Ta),97A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)3V,8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5 毫欧 @ 20A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)9.7nC @ 4.5V
Vgs(最大值)+10V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1365pF @ 12.5V
FET 功能-
功率耗散(最大值)3.1W(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-VSON-CLIP(5x6)
封装/外壳8-PowerTDFN