抗辐射1M×39bit SRAM
日期：2020-10-16YK8CR1M39RH是一款高性能、抗辐射1024K×39bitSRAM。YK8CR1M39RH为异步操作存储器，具有容量大、抗辐射、数据存取时间快等特点。
主要特点
◎ 兼容型号：Aeroflex公司UT8R1M39
◎ 工作电压：I/O：3.3V
内核：1.2V
◎ 读写时间：最大数据读取时间：20ns
最大数据写入时间：10ns
◎ 输入输出接口CMOS电平，三态双向数据总线
◎ 抗辐射指标：总剂量：100K Rad（Si）
单粒子闩锁阈值：75MeV·cm2/mg
单粒子翻转在轨错误率≤1×10-10错误/天·位
（GEO轨道，等效Al3mm）
◎ 工作温度：-55℃～+125℃
◎ ESD等级：2000V
◎ 封装形式：CQFP84
◎ 外形尺寸：55.37mm×55.37mm（成型前）
类型 | 容量 （bit） | 读取时间 （ns） | 工作电压 （V） | 输入电平 | 封装形式 | 兼容型号 | |
YK8CR1M39RH | SRAM | 1M×39 | 读：20 写：10 | 内核：1.2 I/O：3.3 | CMOS | CQFP84 | UT8R1M39 |
类型 | 容量 （bit） | 读取时间 （ns） | 工作电压 （V） | 输入电平 | 封装形式 | 兼容型号 | |
YK8CR1M39RH | SRAM | 1M×39 | 读：20 写：10 | 内核：1.2 I/O：3.3 | CMOS | CQFP84 | UT8R1M39 |