IR2110STRPBF-电桥驱动器芯片
日期：2020-12-7在功率变换装置中，根据主电路的结构，其功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动两种方式。采用隔
离驱动方式时需要将多路驱动电路、控制电路、主电路互相隔离，以免引起灾难性的后果。隔离驱动可分
为电磁隔离和光电隔离两种方式。
光电隔离具有体积小，结构简单等优点，但存在共模抑制能力差，传输速度慢的缺点。快速光耦的速度也
仅几十
kHz
。
电磁隔离用脉冲变压器作为隔离元件，
具有响应速度快
（脉冲的前沿和后沿）
，
原副边的绝缘强度高，
dv/dt
共模干扰抑制能力强。但信号的最大传输宽度受磁饱和特性的限制，因而信号的顶部不易传输。而且最大
占空比被限制在
50
％。而且信号的最小宽度又受磁化电流所限。脉冲变压器体积大，笨重，加工复杂。
凡是隔离驱动方式，每路驱动都要一组辅助电源，若是三相桥式变换器，则需要六组，而且还要互相悬浮，
增加了电路的复杂性。随着驱动技术的不断成熟，已有多种集成厚膜驱动器推出。如
EXB840/841
、
EXB850/851
、
M57959L/AL
、
M57962L/AL
、
HR065
等等，它们均采用的是光耦隔离，仍受上述缺点的限制。
美国
IR
公司生产的
IR2110
驱动器。它兼有光耦隔离（体积小）和电磁隔离（速度快）的优点，是中小功
率变换装置中驱动器件的首选品种。
2IR2110
内部结构和特点
IR2110
采用
HVIC
和闩锁抗干扰
CMOS
制造工艺，
DIP14
脚封装。具有独立的低端和高端输入通道；悬浮电
源采用自举电路，其高端工作电压可达
500V
，
dv/dt=
±
50V/ns
，
15V
下静态功耗仅
116mW
；输出的电源端
（脚
3,
即功率器件的栅极驱动电压）电压范围
10
～
20V
；逻辑电源电压范围（脚
9
）
5
～
15V
，可方便地与
TTL
，
CMOS
电平相匹配，而且逻辑电源地和功率地之间允许有±
5V
的偏移量；工作频率高，可达
500kHz
；
开通、关断延迟小，分别为
120ns
和
94ns
；图腾柱输出峰值电流为
2A
在功率变换装置中，根据主电路的结构，其功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动两种方式。采用隔
离驱动方式时需要将多路驱动电路、控制电路、主电路互相隔离，以免引起灾难性的后果。隔离驱动可分
为电磁隔离和光电隔离两种方式。
光电隔离具有体积小，结构简单等优点，但存在共模抑制能力差，传输速度慢的缺点。快速光耦的速度也
仅几十
kHz
。
电磁隔离用脉冲变压器作为隔离元件，
具有响应速度快
（脉冲的前沿和后沿）
，
原副边的绝缘强度高，
dv/dt
共模干扰抑制能力强。但信号的最大传输宽度受磁饱和特性的限制，因而信号的顶部不易传输。而且最大
占空比被限制在
50
％。而且信号的最小宽度又受磁化电流所限。脉冲变压器体积大，笨重，加工复杂。
凡是隔离驱动方式，每路驱动都要一组辅助电源，若是三相桥式变换器，则需要六组，而且还要互相悬浮，
增加了电路的复杂性。随着驱动技术的不断成熟，已有多种集成厚膜驱动器推出。如
EXB840/841
、
EXB850/851
、
M57959L/AL
、
M57962L/AL
、
HR065
等等，它们均采用的是光耦隔离，仍受上述缺点的限制。
美国
IR
公司生产的
IR2110
驱动器。它兼有光耦隔离（体积小）和电磁隔离（速度快）的优点，是中小功
率变换装置中驱动器件的首选品种。
2IR2110
内部结构和特点
IR2110
采用
HVIC
和闩锁抗干扰
CMOS
制造工艺，
DIP14
脚封装。具有独立的低端和高端输入通道；悬浮电
源采用自举电路，其高端工作电压可达
500V
，
dv/dt=
±
50V/ns
，
15V
下静态功耗仅
116mW
；输出的电源端
（脚
3,
即功率器件的栅极驱动电压）电压范围
10
～
20V
；逻辑电源电压范围（脚
9
）
5
～
15V
，可方便地与
TTL
，
CMOS
电平相匹配，而且逻辑电源地和功率地之间允许有±
5V
的偏移量；工作频率高，可达
500kHz
；
开通、关断延迟小，分别为
120ns
和
94ns
；图腾柱输出峰值电流为
2A
IR2110S在功率变换装置中，根据主电路的结构，其功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动两种方式。采用隔离驱动方式时需要将多路驱动电路、控制电路、主电路互相隔离，以免引起灾难性的后果。隔离驱动可分为电磁隔离和光电隔离两种方式。光电隔离具有体积小，结构简单等优点，但存在共模抑制能力差，传输速度慢的缺点。快速光耦的速度也仅几十kHz。电磁隔离用脉冲变压器作为隔离元件，具有响应速度快（脉冲的前沿和后沿），原副边的绝缘强度高，dv/dt共模干扰抑制能力强。但信号的最大传输宽度受磁饱和特性的限制，因而信号的顶部不易传输。而且最大占空比被限制在50％。而且信号的最小宽度又受磁化电流所限。脉冲变压器体积大，笨重，加工复杂。凡是隔离驱动方式，每路驱动都要一组辅助电源，若是三相桥式变换器，则需要六组，而且还要互相悬浮，增加了电路的复杂性。随着驱动技术的不断成熟，已有多种集成厚膜驱动器推出。如EXB840/841、EXB850/851、M57959L/AL、M57962L/AL、HR065等等，它们均采用的是光耦隔离，仍受上述缺点的限制。美国IR公司生产的IR2110驱动器。它兼有光耦隔离（体积小）和电磁隔离（速度快）的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种。2IR2110内部结构和特点IR2110采用HVIC和闩锁抗干扰CMOS制造工艺，DIP14脚封装。具有独立的低端和高端输入通道；悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V，dv/dt=±50V/ns，15V下静态功耗仅116mW；输出的电源端（脚3,即功率器件的栅极驱动电压）电压范围10～20V；逻辑电源电压范围（脚9）5～15V，可方便地与TTL，CMOS电平相匹配，而且逻辑电源地和功率地之间允许有±5V的偏移量；工作频率高，可达500kHz；开通、关断延迟小，分别为120ns和94ns；图腾柱输出峰值电流为2A
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