NTMFS5C612NLT1G原装公司现货销售
日期:2021-2-1型号:NTMFS5C612NLT1G
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
ON Semiconductor
系列
-包装
卷带(TR)
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
36A(Ta),235A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.5 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),167W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳
8-PowerTDFN
漏源电压(Vdss)
60V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
91nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6660pF @ 25V