STP10NK60ZFP分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单个
日期:2021-3-3摘要:型号:STP10NK60ZFP
品牌:ST
封装:TO220F
全新原装,公司现货
产品属性
类型:描述
类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商:STMicroelectronics
系列:SuperMESH
包装:管件
零件状态:有源
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):750 毫欧 @4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
类型:描述
类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商:STMicroelectronics
系列:SuperMESH
包装:管件
零件状态:有源
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):750 毫欧 @4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
Vgs(最大值):±30V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):35W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
FET 功能:-
功率耗散(最大值):35W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
漏源电压(Vdss):600V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):70nC @ 10V
漏源电压(Vdss):600V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):70nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1370pF @ 25V