FCP36N60N - ON (安森美半导体) - 晶体管-FET，MOSFET-单个
日期：2021-3-16属性
参数值
制造商型号
FCP36N60N
制造商
ON(安森美半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 36A TO-220-3
包装
Tube
系列
SupreMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流-连续漏极（Id）（25°C 时）
36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
90mOhm @ 18A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
112nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4785pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
312W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3