03P4M-T-AZ

03P4M-T-AZ_03P4M-T-AZ导读

针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小于6mΩ，输出电流可达120A，电机扭矩较好，。

我们回过头看下MOS结构，从下图(1)可以看出，MOS中的氧化物O指的是二氧化硅SiO2，SiO2不导电，所以驱动极G基本不走电流，因此MOS功耗比较低，是电压型驱动器件。

0402220K5%

02N60C3 02N60J 03151-0041-01 032FB 033SB 。

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。

057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5% 。

057N08NS

024N06N 028N08N 02CZ10 02DZ24-Y(TPH3 02DZ24-Y(TPH3,F) 。

03P4J-T2-AZ 03P4M-T-AZ 03P5J-T1 03P6MG-AZ 040201AB160PF5V 。

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

03P2J-T1-AZ 03P2M 03P2M-T 03P4J-T1 03P4J-T2 。

比如以前写过一篇文章：《电池保护1：锂电池过放保护原理UVP》，就有介绍，有的电池保护板，在锂电池过放后，会开启保护功能：关闭放电MOS。当插上充电器后，就利用MOS体二极管，使得电路导通，系统正常工作。在另一些场景下就是利用这个二极管导电的特性，让系统正常工作。

NCE2302C NCE8205t NCE2004Y NCE2006Y NCE2007NS 。

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