IMZA65R039M1H
日期：2022-1-12摘要：碳化硅IMZA65R039M1H
IMZA65R027M1H产品信息：
650V CoolSiC MOSFET - 碳化硅（SiC）MOSFET 采用 TO247 4 引脚封装，性能可靠且经济高效 CoolSiC MOSFET技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。IMZA65R107M1H 650V CoolSiC MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。 SiC MOSFET 采用 TO247 4 引脚封装，可降低源极寄生电感对门极电路的影响，从而加快开关速度，提高效率。
特征描述
低电容
更高电流下经过优化的开关行为
具有低反向恢复电荷 (Q(rr)) 的整流稳健快速体二极管
卓越的门极氧化可靠性
出色的热性能
更高的雪崩耐量
可使用标准驱动程序
4 引脚封装
优势
高性能、高可靠性和易用性
实现高系统效率
降低系统成本和复杂性
减小系统尺寸
适用于具有硬换向事件的拓扑
适用于高温和恶劣的运行条件
实现双向拓扑
潜在应用 服务器 电信系统 SMPS 太阳能系统 储能和电池信息 UPS 电动汽车充电 电机驱动器
| IMZA65R030M1H | PG-TO247-4 |
| IMZA65R027M1H | PG-TO247-4 |
| IMZ120R350M1H | PG-TO247-4 |
| IMZ120R220M1H | PG-TO247-4 |
| IMZ120R140M1H | PG-TO247-4 |
| IMZ120R090M1H | PG-TO247-4 |
| IMZ120R060M1H | PG-TO247-4 |
| IMZ120R045M1 | PG-TO247-4 |
| IMZ120R030M1H | PG-TO247-4 |
| IMW65R107M1H | PG-TO247-3 |
| IMW65R083M1H | PG-TO247-3 |
| IMW65R072M1H | PG-TO247-3 |
| IMW65R057M1H | PG-TO247-3 |
| IMW65R048M1H | PG-TO247-3 |
| IMW65R039M1H | PG-TO247-3 |
| IMW65R030M1H | PG-TO247-3 |
| IMW65R027M1H | PG-TO247-3 |
| IMW120R350M1H | PG-TO247-3 |
| IMW120R220M1H | PG-TO247-3 |
| IMW120R140M1H | PG-TO247-3 |
| IMW120R090M1H | PG-TO247-3 |
| IMW120R060M1H | PG-TO247-3 |
| IMW120R045M1 | PG-TO247-3 |
| IMW120R030M1H | PG-TO247-3 |
| IMBG120R350M1H | PG-TO263-7 |
| IMBG120R220M1H | PG-TO263-7 |
| IMBG120R140M1H | PG-TO263-7 |
| IMBG120R090M1H | PG-TO263-7 |
| IMBG120R060M1H | PG-TO263-7 |
| IMBG120R045M1H | PG-TO263-7 |
| IMBG120R030M1H | PG-TO263-7 |
| IMBF170R650M1 | PG-TO263-7 |
| IMBF170R450M1 | PG-TO263-7 |
| IMBF170R1K0M1 | PG-TO263-7 |
| AIMW120R080M1 | PG-TO247-3 |
| AIMW120R060M1H | PG-TO247-3 |
| AIMW120R045M1 | PG-TO247-3 |
| AIMW120R035M1H | PG-TO247-3 |
