NTZD3155CT1G

产品属性

类型描述选择 

类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列  

制造商 onsemi  

系列 -  

包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带  

零件状态 在售  

FET 类型 N 和 P 沟道  

FET 功能 逻辑电平门  

漏源电压（Vdss） 20V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 540mA，430mA  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 550 毫欧 @ 540mA，4.5V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250μA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 2.5nC @ 4.5V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 150pF @ 16V  

功率 - 最大值 250mW  

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型 表面贴装型  

封装/外壳 SOT-563，SOT-666  

供应商器件封装 SOT-563  

基本产品编号 NTZD3155