NTR1P02T1G

制造商

onsemi

系列

-

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel? 得捷定制卷带

零件状态

在售

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

180 毫欧 @ 1.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

2.5 nC @ 5 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

165 pF @ 5 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

400mW（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

基本产品编号

NTR1P02