TAJB155M050RNJ

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在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？。MOS管和IGBT管的区别。

TLJS476M006R1500

TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。 2）、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。关于寄生二极管的作用，有两种解释： 1）、MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

。IGBT的结构 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。

TAJA475K020RNJ

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

040251K1% 040251R5% 040268K1% 04028.2K5% 0402E4872BITS 。

051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。

060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。

总的来说，MOSFET优点是高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。

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