TAJB226M010RNJ

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IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT内部的体二极管并非寄生的，而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。判断IGBT内部是否有体二极管也并不困难，可以用万用表测量IGBT的C极和E极，如果IGBT是好的，C、E两极测得电阻值无穷大，则说明IGBT没有体二极管。

TAJB156M010RNJ

TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。

057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5% 。

STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。

IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。 IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。MOS管和IGBT的结构特点 MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。

TAJA685K006RNJ

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

TAJA105M016RNJ TAJA105M020RNJ TAJA105M025RNJ TAJA105M035RNJ TAJA105M050RNJ TAJA106K004RNJ TAJA106K006RNJ TAJA106K010RNJ TAJA106K016RNJ TAJA106M004RNJ 。

040251K1% 040251R5% 040268K1% 04028.2K5% 0402E4872BITS 。

t0-t1：C GS1 开始充电，栅极电压还没有到达V GS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。

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