TAJB334K050RNJ

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上面就是功率mos管NCE80H12的规格书，我们电动车控制器上用的功率mos管NCE80H12其实和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。

TAJE107M025RNJ

STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。

TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。

040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

TLJF227M010R0300

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

040251K1% 040251R5% 040268K1% 04028.2K5% 0402E4872BITS 。

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

总的来说，MOSFET优点是高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。

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