TAJB336M006RNJ

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针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小于6mΩ，输出电流可达120A，电机扭矩较好，。

TAJC156K016RNJ

IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。 IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。MOS管和IGBT的结构特点 MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。

06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。

TAJE156K050RNJ

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。

051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。

TAJA224K050RNJ TAJA224M035RNJ TAJA224M050RNJ TAJA225K006RNJ TAJA225K010RNJ TAJA225K016RNJ TAJA225K020RNJ TAJA225K025RNJ TAJA225K035RNJ TAJA225M006RNJ 。

NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。

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