TAJB475M016RNJ

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MOS管在硬件设计中经常使用到，下面是N型MOS管，包括栅极G，源极S，漏级D。

TLJR226M006R3500

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。

040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。

TAJV158M004RNJ

0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。 GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。

总的来说，MOSFET优点是高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。

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