TAJB476M004RNJ

TAJB476M004RNJ_TAJB476M004RNJ导读

由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

TAJD155M050RNJ

TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。

060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。

TAJB225K016RNJ

如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。 GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。

BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。

NCE2302D NCE2302F NCE1012E NCE2302B NCE2302 。

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