TAJC225M050RNJ

TAJC225M050RNJ_TAJC225M050RNJ导读

代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。它的栅极与其它电极间是绝缘的。

TAJD336K010RNJ

TAJA225M010RNJ TAJA225M016RNJ TAJA225M020RNJ TAJA225M025RNJ TAJA225M035RNJ TAJA226K004RNJ TAJA226K006RNJ TAJA226K010RNJ TAJA226M004RNJ TAJA226M006RNJ 。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

对于P型MOS管，若S的电压比G处高（G、S间存在压差，具体电平看具体MOS管 ），D、S之间就会导通（电压方向S指向D），此时D、S间相当于一个很小的电阻，若G、S之间为低（具体电平看具体MOS管 ），D、S之间就会截止 ，此时D、S间相当于一个很大的电阻，电流就无法流过。

TAJD475K035RNJ

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。

060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。

MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等等高频电源领域；IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。

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