STW48N60DM2

制造商 STMicroelectronics  

FET 类型 N 通道  

技术 MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss） 600 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 79 毫欧 @ 20A，10V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250μA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 70 nC @ 10 V  

Vgs（最大值） ±25V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3250 pF @ 100 V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 300W（Tc）  

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型 通孔  

器件封装 TO-247-3  

封装/外壳 TO-247-3