TAJD226M016RNJ

TAJD226M016RNJ_TAJD226M016RNJ导读

由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

TAJB475M025RNJ

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5% 。

TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334M035RNJ TAJA334M050RNJ TAJA335K006RNJ TAJA335K010RNJ TAJA335K016RNJ TAJA335K020RNJ 。

060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。

TAJC336M016RNJ

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。

060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。

0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。

至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压,Millier效应影响变小，Cgd 电容变小并和Cgs 电容一起由外部驱动电压充电, Cgs 电容的电压上升,至t4时刻为止.此时C gs 电容电压已达稳态,DS间电压也达最小，MOSFET完全开启。

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