原装正品 Infineon/英飞凌 IPB80N04S2-H4 MOS管 场效应管 质量保证

类别： 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商：Infineon Technologies

系列：OptiMOS?

包装：卷带（TR）

产品状态：Digi-Key 停止提供

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.7 毫欧 @ 80A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：148 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4400 pF @ 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）：300W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-TO263-3-2

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号： IPB80N

专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列，

主要应用于锂电池保护板/**无刷电调、电脑主板显卡/无刷电机、太阳能/LED照明电源、

UPS电源/电动车控制器、HID灯/逆变器、电源适配器/开关电源、镇流器、汽车电子等。