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IPB048N15N5LFATMA1

日期:2022-6-6类别:会员资讯 阅读:648 (来源:互联网)
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摘要:IPB048N15N5LFATMA1

IPB048N15N5LFATMA1


類別 離散式半導體產品電晶體 - FET、MOSFET - 單一  

製造商 Infineon Technologies  

系列 OptiMOS?-5  

包裝 編帶和捲軸封裝 (TR)絕緣帶封裝 (CT)Digi-Reel?  

產品狀態 有源  

FET 類型 N 通道  

技術 MOSFET (金氧)  

汲極至源極電壓 (Vdss) 150 V  

電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 120 A (Tc)  

驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V  

Rds On (最大值) @ Id、Vgs 4.8mOhm @ 100A、10V  

Vgs(th) (最大值) @ Id 4.9V @ 255μA  

閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 84 nC @ 10 V  

Vgs (最大值) ±20V  

輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 380 pF @ 75 V  

FET 特點 -  

功率耗散 (最大值) 313W (Tc)  

工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)  

安裝類型 表面黏著式  

供應商元件封裝 PG-TO263-3  

封裝/外殼 TO-263-3、D2Pak (2 引線 + 接頭)、TO-263AB  

基礎產品編號 IPB048