TLJG686M006R0800

TLJG686M006R0800_TLJG686M006R0800导读

这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析： Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超。

TAJA106M016RNJ

040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。

截止状态:三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时便失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。饱和导通状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。

06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。

TAJB154M050RNJ

双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。另一种晶体管叫做场效应管 (FET) ，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比 (beta) 。

060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。

场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。

。这种晶体管称为金属氧化物半导体 (MOS) 晶体管，或金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET) 。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

结构和符号 (以N沟道增强型为例) —— 在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。

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