TLJR476M010R3200

TLJR476M010R3200_TLJR476M010R3200导读

这个数值可以通过R5和R6来调节。R5和R6是反馈电阻，用于对gate电压进行采样，采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈，从而把gate电压限制在一个有限的数值。

TAJB156K016RNJ

STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。

TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

TAJD337M002RNJ

双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。另一种晶体管叫做场效应管 (FET) ，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比 (beta) 。

BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。

MOS管是金属 (metal) — 氧化物 (oxide) — 半导体 (semiconductor) 场效应晶体管，或者称是金属 — 绝缘体 (insulator) — 半导体。

FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压MOS管。

NCE30TD120UT NCE40TD120UT NCE40TD120VT NCE30TD120BP NCE25TD120BT 。

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