SI2301CDS-T1-GE3 我司大量正品现货原装

Mouser编号：781-SI2301CDS-T1-GE3

制造商编号：SI2301CDS-T1-GE3

制造商：Vishay Semiconductors

说明：MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23

技术: Si  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: SOT-23-3  

晶体管极性: P-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 20 V  

Id-连续漏极电流: 3.1 A  

Rds On-漏源导通电阻: 112 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V  

Qg-栅极电荷: 3.3 nC  

最小工作温度: - 55 C  

最大工作温度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 1.6 W  

通道模式: Enhancement  

商标名: TrenchFET  

封装: Reel  

封装: Cut Tape  

封装: MouseReel  

商标: Vishay Semiconductors  

配置: Single  

下降时间: 10 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 35 ns  

系列: SI2  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

晶体管类型: 1 P-Channel  

典型关闭延迟时间: 30 ns  

典型接通延迟时间: 11 ns  

零件号别名: SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-GE3  

单位重量: 8 mg 

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