BUK7Y1R7-40H
日期:2022-7-13摘要:N沟道 漏源电压(Vdss)
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产品参数
参数 | 数值 |
---|---|
FET Feature | - |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 1mA |
Part Status | Active |
FET 类型 | N 沟道 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.6V @ 1mA |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669 |
Package / Case | SC-100, SOT-669 |
零件状态 | 在售 |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
Base Part Number | BUK7Y1 |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 1.7 毫欧 @ 25A,10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
功率耗散(最大值) | 294W(Tc) |
安装类型 | 表面贴装 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 25A, 10V |
包装 | - |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Vgs(最大值) | +20V, -10V |
FET 功能 | - |
Vgs (Max) | +20V, -10V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 96nC @ 10V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 120A(Ta) |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 6142pF @ 25V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6142pF @ 25V |
漏源电压(Vdss) | 40V |
供应商器件封装 | LFPAK56,Power-SO8 |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Packaging | Digi-Reel? |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Ta) |
Power Dissipation (Max) | 294W (Tc) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
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