SPA11N80C3

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS?

包装

管件

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

11A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

450 毫欧 @ 7.1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 680μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

85 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1600 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

34W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

PG-TO220-3

封装/外壳

TO-220-3 隔离片

基本产品编号

SPA11N80