IKW50N60H3 分立半导体 晶体管 IGBT 晶体管
日期：2022-7-23类别：会员资讯
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| 制造商: | Infineon |
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| 产品种类: | IGBT 晶体管 |
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| RoHS: | 详细信息 |
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| 技术: | Si |
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| 封装 / 箱体: | TO-247-3 |
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| 安装风格: | Through Hole |
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| 配置: | Single |
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| 集电极—发射极最大电压 VCEO: | 600 V |
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| 集电极—射极饱和电压: | 2.25 V |
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| 栅极/发射极最大电压: | 20 V |
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| 在25 C的连续集电极电流: | 100 A |
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| Pd-功率耗散: | 333 W |
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| 最小工作温度: | - 40 C |
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| 最大工作温度: | + 175 C |
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| 系列: | Trenchstop IGBT3 |
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| 封装: | Tube |
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| 商标: | Infineon Technologies |
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| 集电极最大连续电流 Ic: | 50 A |
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| 栅极—射极漏泄电流: | 100 nA |
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| 高度: | 20.7 mm |
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| 长度: | 15.87 mm |
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| 产品类型: | IGBT Transistors |
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| 工厂包装数量: | 240 |
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| 子类别: | IGBTs |
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| 商标名: | TRENCHSTOP |
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| 宽度: | 5.31 mm |
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| 零件号别名: | SP000852244 IKW5N6H3XK IKW50N60H3FKSA1 |
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| 单位重量: | 38 g |
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