场效应管 SI4477DY-T1-GE3

 场效应管 SI4477DY-T1-GE3  

品牌： VISHAY

型号： SI4477DY-T1-GE3

封装： SO-8

批次： 21+

制造商： Vishay

产品种类： MOSFET

RoHS： 是

安装风格： SMD/SMT

封装 / 箱体： SO-8

晶体管极性： P-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 20 V

Id-连续漏极电流： 26.6 A

Rds On-漏源导通电阻： 6.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： 4.5 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 600 mV

Qg-栅极电荷： 125 nC

最小工作温度： - 55 C

最大工作温度： + 150 C

Pd-功率耗散： 6.6 W

通道模式： Enhancement

配置： Single

高度： 1.75 mm

长度： 4.9 mm

系列： SI4

晶体管类型： 1 P-Channel

宽度： 3.9 mm

正向跨导 - 最小值： 10 S

下降时间： 42 ns

上升时间： 42 ns

典型关闭延迟时间： 100 ns

典型接通延迟时间： 42 ns

零件号别名： SI4477DY-GE3

单位重量： 187 mg

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