MAX4781EUE+T

MAX4781EUE+T_SSOP导读

当前，芯片市场需求分化加剧：一方面，消费级芯片需求萎靡迫使渠道商开始清库存，前期被爆炒的部分芯片，渠道价格开始回落；另一方面，汽车电子、工控、光伏逆变器等功率半导体的供应依然紧张，部分国内厂商近期还对功率产品进行了小幅涨价。

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ADI 采用硅技术的新型高功率开关为 RF 设计人员和系统架构师提供了提高其系统复杂度的灵活性，且不会让 RF 前端成为其设计瓶颈。ADI 采用硅技术的新型高功率开关专为简化 RF 前端设计而研发，免除外围电路的需要并将功耗降至可忽略不计的水平。

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但在本土芯片公司实力提升、产业链上下游竞争开始变得更加有序、车载新能源等新兴需求拉动、全球半导体产能增长缓慢等因素影响下，预计不会出现原厂芯片大幅降价的现象。

在此类系统的 RF 前端部分仍然需要实现类似的集成，意在降低功耗 (以改善热管理) 和缩减尺寸(以降低成本)，从而容纳更多的 MIMO 通道。高度集成的单芯片射频收发器解决方案 (例如，ADI 新推出的 ADRV9008/ADRV9009产品系列) 的面市促成了此项成就。

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它们依靠单 5 V 电源供电运行，偏置电流小于 1 mA，并且不需要外部组件或接口电路。ADI 的新款高功率硅开关更适合大规模 MIMO 设计。

该开关功能可直接在天线接口上使用 (在功率相对较低的系统中，如图 1 所示)，或在接收路径中使用 (针对较高功率应用，如图 2 所示)，以保证正确接至双工器。在开关输出上设有一个并联支路将有助改善隔离性能。时分双工 (TDD) 系统中，天线接口纳入了开关功能，以隔离和保护接收器输入免受发送信号功率的影响。

N型MOS管应用的场景更多，相比于比P型MOS管，其优点如下 1、开关速度更快 2、耐压更高 3、通过的电流更大下面是N型MOS管的一个简单的引用电路，当G端通入高电平，MOS管D、S间导通，此时MOS管导通，电机的电流得以通过，电机转动。当G端为低电平的时候，D、S间无法导通，电机也就无法运行。。

在特高压输电领域，亟需解决能源从发电到用电的传输安全与稳定难题。新兴的能源物联网正给传统电网注入“新动能”，助力电网向智能电网的升级。

这款3.3 V电源电压产品包括3个基于ADXL1002的测量链、1个温度传感器、1个处理器和1个FIFO。

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