STQ1HNK60R-AP

STQ1HNK60R-AP

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-92-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 400 mA

Rds On-漏源导通电阻: 8.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.25 V

Qg-栅极电荷: 10 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 30 W

通道模式: Enhancement

封装: Ammo Pack

商标: STMicroelectronics

配置: Single

下降时间: 25 ns

高度: 4.95 mm

长度: 4.95 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 5 ns

系列: STQ1HNK60R

工厂包装数量: 2000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 19 ns

典型接通延迟时间: 6.5 ns

宽度: 3.94 mm

单位重量: 453.600 mg