SI7135DP-T1-GE3

SI7135DP-T1-GE3

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 60 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 167 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 104 W

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Vishay Semiconductors

配置: Single

下降时间: 30 ns

正向跨导 - 最小值: 95 S

高度: 1.04 mm

长度: 6.15 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 15 ns

系列: SI7

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 110 ns

典型接通延迟时间: 25 ns

宽度: 5.15 mm

零件号别名: SI7135DP-GE3

单位重量: 506.600 mg