IMW120R090M1HXKSA1 全新原装正品 现货

IMW120R090M1HXKSA1

类别

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolSiC?

包装

管件

Product Status

在售

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）

1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

26A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

15V，18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

117 毫欧 @ 8.5A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.7V @ 3.7mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

21 nC @ 18 V

Vgs（最大值）

+23V，-7V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

707 pF @ 800 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

115W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

PG-TO247-3-41

封装/外壳

TO-247-3

基本产品编号

IMW120

STD35P6LLF6 ST 21+

BSL215C  INFINEON 21+

SQM120P06-07L-GE3  ST 21+

BUK7Y15-60E  NXP 21+