LM74801QDRRRQ1汽车电池保护IC

特性

符合汽车应用的AEC-Q100标准

–设备温度等级1:-40°C至+125°C环境工作温度范围–设备HBM ESD等级2–设备CDM ESD等级C4B

3V至65V输入范围

反向输入保护低至-65V

在公共排水和公共电源配置中，可驱动外部背靠背N沟道MOSFET

10.5mV阳极到阴极正向压降调整，理想二极管正常工作（LM74800-Q1）

低反向检测阈值（–4.5mV），可快速响应（0.5μs）

20mA峰值门（DGATE）传导电流

2.6A峰值DGATE关断电流

可调过电压保护

2.87μA低关断电流（EN/UVLO=低电平）

采用合适的TVS二极管，满足汽车ISO7637的瞬态要求

采用节省空间的12针WSON封装

应用 

 汽车电池保护 

ADAS 域控制器 

 摄像头 ECU 

 音响主机 

USB 集线器 

用于冗余电源的有源 ORing

LM74801QDRRRQ1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背 对背 N 沟道 MOSFET，

从而模拟具有电源路径开/关控 制和过压保护的理想二极管整流器。

3V 至 65V 的宽输 入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电 的 ECU。

该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。

集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极 管，以实现反向输入保护和输出电压保持。

在电源路径 中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载 断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保 护。

该器件具有可调节过压切断保护功能。

LM74801QDRRRQ1有两种型号：LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。 

LM74800-Q1 使用线性稳压和比较器方案来实现反向 电流阻断功能，

而 LM74801-Q1 支持基于比较器的方 案。

通过功率 MOSFET 的共漏极配置，可以使用另一 个理想二极管将中点用于 OR-ing 设计。

LM7480x-Q1 的最大额定电压为 65V。

通过在共源极拓扑中为器件 配置外部 MOSFET，可以保护负载免受过压瞬态（例 如 24V 电池系统中未抑制的 200V 负载突降）的影 响。