STP6N120K3
日期：2022-10-8类型 | 描述 | |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
产品状态 | 停产 | |
FET 类型 | ||
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
漏源电压（Vdss） | ||
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.4 欧姆 @ 2.5A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100μA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 34 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1050 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 150W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | ||
供应商器件封装 | TO-220 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |