MOS管 SI7489DP-T1-GE3 晶体管 VISHAY/威世

类别：分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商：Vishay 

系列：TrenchFET?

包装：卷带（TR）

剪切带（CT）

FET 类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：41 毫欧 @ 7.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：160 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4600 pF @ 50 V

FET 功能; -

功率耗散（最大值）:5.2W（Ta），83W（Tc）

工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型:表面贴装型

器件封装:PowerPAK? SO-8

封装/外壳:PowerPAK? SO-8

基本产品编号：SI7489

专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列，

主要应用于锂电池保护板/**无刷电调、电脑主板显卡/无刷电机、太阳能/LED照明电源、

UPS电源/电动车控制器、HID灯/逆变器、电源适配器/开关电源、镇流器、汽车电子等。

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