SIHP068N60EF-GE3

SIHP068N60EF-GE3

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 41 A

Rds On-漏源导通电阻: 68 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V

Qg-栅极电荷: 51 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 250 W

通道模式: Enhancement

商标: Vishay Semiconductors

产品类型: MOSFET

系列: EF

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs