SQD100N04-3M6L_GE3

SQD100N04-3M6L_GE3

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V

Qg-栅极电荷: 130 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 136 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: TrenchFET

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Vishay Semiconductors

配置: Single

下降时间: 11 ns

正向跨导 - 最小值: 105 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 11 ns

系列: SQ

工厂包装数量: 2000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 39 ns

典型接通延迟时间: 9 ns

单位重量: 330 mg