BSS123N H6327

製造商: Infineon

產品類型: MOSFET

RoHS: 詳細資料

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: SOT-23-3

晶體管極性: N-Channel

通道數: 1 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V

Id - C連續漏極電流: 190 mA

Rds On - 漏-源電阻: 2.4 Ohms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 1.4 V

Qg - 閘極充電: 600 pC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 150 C

Pd - 功率消耗 : 500 mW

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

品牌: Infineon Technologies

配置: Single

下降時間: 22 ns

互導 - 最小值: 410 mS

高度: 1.1 mm

長度: 2.9 mm

產品類型: MOSFET

上升時間: 3.2 ns

系列: BSS123

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