VISHAY/威世 SI7997DP-T1-GE3 MOS管 场效应管

详细描述 ：MOSFET - 阵列 30V 60A 46W 表面贴装型 PowerPAK? SO-8 双

系列：TrenchFET?

技术：MOSFET（金属氧化物）

配置：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：-

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.5 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：160nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6200pF @ 15V

功率 - 最大值：46W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：PowerPAK? SO-8 双