IXFK102N30P
日期：2023-2-16类别：会员资讯
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- 公司:
- 湖人半导体（深圳）有限公司
- 联系人:
- 雷小姐
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- 13302942150
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- 0755-82577852/13302942150
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- 地址:
- 深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场6010A
| 制造商: | IXYS |
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| 产品种类: | MOSFET |
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| RoHS: | 详细信息 |
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| 技术: | Si |
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| 安装风格: | Through Hole |
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| 封装 / 箱体: | TO-264-3 |
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| 晶体管极性: | N-Channel |
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| 通道数量: | 1 Channel |
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| Vds-漏源极击穿电压: | 300 V |
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| Id-连续漏极电流: | 102 A |
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| Rds On-漏源导通电阻: | 33 mOhms |
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| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
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| Vgs th-栅源极阈值电压: | 5 V |
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| Qg-栅极电荷: | 224 nC |
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| 最小工作温度: | - 55 C |
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| 最大工作温度: | + 150 C |
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| Pd-功率耗散: | 700 W |
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| 通道模式: | Enhancement |
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| 商标名: | HiPerFET |
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| 系列: | IXFK102N30 |
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| 封装: | Tube |
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| 商标: | IXYS |
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| 配置: | Single |
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| 下降时间: | 30 ns |
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| 正向跨导 - 最小值: | 45 S |
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| 高度: | 26.16 mm |
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| 长度: | 19.96 mm |
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| 产品类型: | MOSFET |
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| 上升时间: | 28 ns |
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| 工厂包装数量: | 25 |
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| 子类别: | MOSFETs |
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| 晶体管类型: | 1 N-Channel |
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| 类型: | PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
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| 典型关闭延迟时间: | 130 ns |
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| 典型接通延迟时间: | 30 ns |
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| 宽度: | 5.13 mm |
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| 单位重量: | 10 g |
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