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SDN10N1P5S2T 原装现货,适用于锂电保护板,BMS储能

日期:2023-2-27类别:会员资讯 阅读:479 (来源:互联网)
公司:
深圳市联大实业有限公司
联系人:
廖小姐
手机:
13670166496
电话:
13670166496
传真:
0755-28199449
QQ:
1046342124
地址:
深圳市龙华新区荔苑大厦B座1005室
摘要:专为大电流功率应用而设计,是高功率应用系统中最理想的功率器件封装解决方案。主要有以下几大优势:1)有效提高系统能效;2)降低系统 EMI噪声;3)改善热耗散特性及减小系统体积,如与D2 PAK 7pi

                   

深圳市联大实业有限公司


         创建于2016年,是一家代理和销售为一体的电子元器件的公司,公司从创建以来一直致力于为电器、电源及数码行业的元器件配套服务,凭着优质的产品质量、稳定的供货渠道和完美的售后服务体系,赢得了广大客户和市场的信赖,并与国内外众多的生产厂家建立了良好的合作关系。现公司从事经营的产品涉及军工、民用、通信、计算机、医疗等领域,包括普通、特种、高精度的各类电子元器件,其中主导产品为电源配套的二三极管、场效应管及IC.有着丰富的经验和专业的素质,高度敬业精神,能为客户提供最优质专业的服务。 双赢互利是我们的一贯经营理念。我们期盼与业内朋友放眼世界、展望未来、携手并进、齐享高科技的结晶、共创辉煌! 优势:价格好、库存多、交货快。 品牌:维安,芯迈(储能和BMS),泰为(DSP)FAIRCHILDIR仙童、EVERLIGHT亿光、华邦、威士顿,ST、NXP、WSIDOM、MPS、TI、ON、VISHAY及国内知名品牌二、三极管和各类偏冷门和军工级民用IC产品。 品质:质量保证、可提供产品承认书,SGS环保报告。服务:如需寻找任何电子元件,请随时与我们联系,谦虚有礼的专业人员会为您解答各种问题,提供专业服务。

           主要业务:深圳市联大实业有限公司自创建以来,始终专注于仪器/仪表/工业自动化/电气行业,公司始终坚持“创新,品质,服务,节约,敬业,感恩”理念。吸收新创意,严把质量关口,全方位的服务跟踪,坚持做出高品质产品。本着“追求、员工、技术、精神、利益”10字宗旨,我们以质量为生命、时间为信誉、价格为竞争力的经营信念,经过多年的经验和积累,长时间产品的打磨以及完善的服务,立足于仪器/仪表/工业自动化/电气行业。


SDN15N9P3S3C PDFN5*6-8 150V 7.6(mΩ)~(9.3(mΩ)               SDN15N7P5S1A TO220-3 150V 5.8(mΩ)~ 7.5(mΩ)

SDN15N7P2S1B TO263-3 150V 5.8(mΩ)~ 7.2 (mΩ)                   SDN15N7P1S3B TO263-3 150V 5.3(mΩ)~ 7.1(mΩ)

SDA10K020SAD TO252-2 100V 16.5(mΩ) ~20(mΩ)                    SDN10K018S2Z PDFN3*3-8 100V 13(mΩ) ~18(mΩ)

SDN10K018S2E PDFN3.3*3.3-8 100V 13(mΩ) ~18(mΩ)             SDN10K018S2C PDFN5*6-8 100V 13(mΩ) ~18(mΩ)

SDN10K010S2U TO251-3 100V 8.5(mΩ) ~10(mΩ)                SDN10K007S2C PDFN5*6-8 100V 5 (mΩ)~7(mΩ)

SDN10K5P2S2C PDFN5*6-8 100V 4.8(mΩ) ~5.2(mΩ)                      SDN10N4P9S2B TO263-3 100V 3.7(mΩ) ~4.9(mΩ)

SDN10N4P9S2C PDFN5*6-8 100V 3.6(mΩ) ~4.9(mΩ)                 SDA10N4P2S1A TO220-3 100V 3.6(mΩ) ~4.2(mΩ)

SDN10N4P2S2B TO263-3 100V 3.8(mΩ) ~4.2(mΩ)                      SDN10N4P2S2C PDFN5*6-8 100V 3.6(mΩ) ~4.2(mΩ)

SDN10N004S2C PDFN5*6-8 100V 3.1(mΩ) ~4.0(mΩ)                  SDN10N004S2B TO263-3 100V 3.2(mΩ) ~4.0(mΩ)

SDN10N3P5S2B TO263-3 100V 3.1(mΩ)~ 3.5(mΩ)                      SDN10N2P7S2B TO263-3 100V 2.4(mΩ)~ 2.7(mΩ)

SDA10N2P7S1A TO263-3 100V 2.3(mΩ) ~2.7(mΩ)                       SDA10N2P3S1F TO263-7 100V 2.1(mΩ) ~2.3(mΩ)

SDN10N1P5S2T TOLL-8 100V 1.1(mΩ)~ 1.5(mΩ)                         SDN08N003S2C PDFN5*6-8 CLIP 80V 2.6(mΩ) ~3.0(mΩ) 

SDN06K016S2C PDFN5*6-8 60V 13(mΩ) ~16(mΩ)                       SDN06K9P5S4O SO-8 60V 8.5(mΩ) ~9.5(mΩ)

SDN06L2P5S3C PDFN5*6-8 60V 3.1(mΩ) ~3.9(mΩ)                     SDN06N1P6S4C PDFN5*6-8 60V 1.3(mΩ) ~1.6(mΩ)

SDN06L1P3S4C PDFN5*6-8 CLIP 60V  0.9(mΩ) ~1.3(mΩ)           SDN04N1P4S2C PDFN5*6-8 40V 1.2(mΩ) ~1.4(mΩ) 

SDN04L1P4S2C PDFN5*6-8 40V 1.1(mΩ) ~1.4(mΩ)                         SDN04N0P9S2C PDFN5*6-8 CLIP 40V 0.7(mΩ) ~0.9(mΩ)

SDA04N0P9S1F TO263-7 40V 0.7(mΩ) ~0.9(mΩ)                                       SDN03L1P4S1C PDFN5*6-8 30V 1.1(mΩ)~ 1.4(mΩ)


屏蔽栅沟槽型(Shield Gate Trench) MOSFET

①屏蔽栅沟槽型 MOSFET系列产品具有电荷平衡功能,全面提升了器件的开关特性和导通特性,同时降低器件的特征导通电阻和栅极电荷


②屏蔽栅深沟槽技术全面提升了产品的导通电阻温度特性,有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度,从而显著增强了器件高温条件下的电流能力和抗冲击特性,更适宜于高温酷暑环境下的应用。


③ 配合先进的封装技术,屏蔽栅沟槽技术致力于提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度,同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击电量,实现快速、平稳、高效的电源管理和电机控制


特点与优势

①极低的导通电阻                        ②极低的FOM                        ③高温下的电流能力更强              ④快速柔软恢复的体二极管特性

⑤低Crss/Ciss,增强抗EMI能力      ⑥高UIS耐量,100%测试        ⑦符合RoHS标准

应用领域

①交直流电源同步整流                  ②直流电机驱动                       ③电池充电保护电路                      

④逆变器                                      ⑤隔离直流转换器                    ⑥不间断电源

产品众多、现货充足是我们的优势之一,无论是跨国企业还是国内厂家,都能得到我们迅速、可靠和专业的服务。

【承诺】:本公司商品是100%原厂正品,环保产品!量多更加优惠!!!

葛先生:18802530781(微信同号)  QQ:1025093101 欢迎来电咨询

地址:深圳市龙华新区布龙路荔苑大厦B座1005室