IPW65R080CFD
日期：2023-3-15类别：会员资讯
阅读：533 （来源：互联网）
- 公司:
- 深圳市新都伟业科技有限公司
- 联系人:
- 曾先生
- 手机:
- 18002515619
- 电话:
- 0755-82555685
- 传真:
- --
- QQ:
- 2881734000
- 地址:
- 深圳市福田区华强北群星广场A座2219
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| 产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
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| 制造商: | Infineon |
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| 产品种类: | MOSFET |
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| RoHS: | 详细信息 |
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| 技术: | Si |
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| 安装风格: | Through Hole |
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| 封装 / 箱体: | TO-247-3 |
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| 晶体管极性: | N-Channel |
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| 通道数量: | 1 Channel |
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| Vds-漏源极击穿电压: | 650 V |
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| Id-连续漏极电流: | 43.3 A |
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| Rds On-漏源导通电阻: | 72 mOhms |
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| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
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| Vgs th-栅源极阈值电压: | 3.5 V |
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| Qg-栅极电荷: | 167 nC |
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| 最小工作温度: | - 55 C |
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| 最大工作温度: | + 150 C |
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| Pd-功率耗散: | 391 W |
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| 通道模式: | Enhancement |
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| 商标名: | CoolMOS |
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| 系列: | CoolMOS CFD2 |
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| 封装: | Tube |
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| 商标: | Infineon Technologies |
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| 配置: | Single |
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| 下降时间: | 6 ns |
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| 高度: | 21.1 mm |
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| 长度: | 16.13 mm |
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| 产品类型: | MOSFET |
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| 上升时间: | 18 ns |
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| 工厂包装数量: | 240 |
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| 子类别: | MOSFETs |
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| 晶体管类型: | 1 N-Channel |
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| 典型关闭延迟时间: | 85 ns |
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| 典型接通延迟时间: | 20 ns |
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| 宽度: | 5.21 mm |
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| 零件号别名: | SP000745036 IPW65R8CFDXK IPW65R080CFDFKSA1 |
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| 单位重量: | 6 g
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