SI7415DN-T1-E3
日期:2023-3-31摘要:只做原装
产品状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | ||
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 65 毫欧 @ 5.7A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250μA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 1.5W(Ta) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | ||
供应商器件封装 | PowerPAK? 1212-8 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |