IPD50P04P4L-11

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 环保

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 17.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 5 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 45 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 58 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: OptiMOS

系列: OptiMOS-P2

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 39 ns

高度: 2.3 mm

长度: 6.5 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 9 ns

包装数量：2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 46 ns

典型接通延迟时间: 12 ns

宽度: 6.22 mm

零件号别名: IPD5P4P4L11XT SP000671156 IPD50P04P4L11ATMA1

单位重量: 330 mg