INFINEON/英飞凌 晶体管 IMW120R090M1H MOS管
日期：2023-5-27摘要：IMW120R090M1H MOS管
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
产品状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | SiCFET（碳化硅） | |
漏源电压（Vdss） | ||
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V，18V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 117 毫欧 @ 8.5A，18V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.7V @ 3.7mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 21 nC @ 18 V | |
Vgs（最大值） | +23V，-7V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 707 pF @ 800 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 115W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安装类型 | ||
供应商器件封装 | PG-TO247-3-41 | |
封装/外壳 |